수원이혼전문변호사 SK하이닉스가 10일 일본 교토에서 열린 반도체 회로·공정기술 분야 학술대회 ‘IEEE VLSI 심포지엄 2025’에서 미래 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵을 발표했다. 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO·최고기술책임자)은 이날 ‘지속 가능한 미래를 위한 D램 기술의 혁신 주도’를 주제로 한 기조연설에서 “현재의 테크 플랫폼을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다”고 말했다. 이어 “이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F²(4F 스퀘어) VG 플랫폼과 3D(차원) D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다”고 밝혔다.4F² VG 플랫폼은 D램의 셀 면적을 최소화하고 수직 게이트 구조를 통해 고집적, 고속, 저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술이다.D램은 셀 단위로 데이터를 저장한다. 셀 하나의 면적을 F²(F는 반도체의 최소 선폭)라고 표...
